Программа конференции HOLOEXPO 2022

Программа конференции HOLOEXPO 2022
Секция 2 «Лазерные технологии в микрооптике, нанофотонике и структурированном свете»


Прямая запись субволновых микроструктур на пленках аморфного кремния излучением полупроводникового лазера с λ=405 nm

Аскар Асанбекович Кутанов1, В. П. Корольков2, Н. Сыдык уулу1, Р. И. Куц2

1 Институт физики имени академика Ж. Ж. Жеенбаева, Национальная Академия наук, Бишкек, Киргизия
2 Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия

Исследованы возможности полутоновой записи с субволновым разрешением на пленках аморфного кремния излучением полупроводникового лазера с λ=405 nm. Эксперименты по прямой лазерной записи проводились на нанолитографе разработанном в Институте ИАЭ СО РАН. Нелинейная зависимость диаметра записываемого элемента на пленках аморфного кремния от энергии импульса лазера открывает возможности для прямой записи микроструктур размером меньше длины волны на тонких слоях а-Si для изготовления фотошаблонов и дифракционных оптических элементов

Ключевые слова: прямая лазерная запись, аморфный кремний, субволновая микроструктура.