Программа конференции HOLOEXPO 2022

Программа конференции HOLOEXPO 2022
Секция 10 «Фоточувствительные материалы»


Нестационарная фото-ЭДС в широкозонных полупроводниках Ga2O3 и SiC

М. Брюшинин1, И. Соколов1, Станислав Шандаров2

1 ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия
2 Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия

Обнаружен и исследован эффект нестационарной фото-эдс в широкозонных полупроводниках Ga2O3 и SiC. Определены фотоэлектрические параметры этих материалов и продемонстрировано детектирование механических колебаний в волоконно-оптической пластине.

Ключевые слова: нестационарная фото-эдс, широкозонный полупроводник, адаптивный интерферометр.